根據光源類型，光刻機分為：i線、krf、arf 和 euv 光刻機。光刻機的性能由分辨率、套刻精度、曝光場、吞吐量、生產力和波長等參數描述，其中波長決定了分辨率和套刻精度。
光刻機的分類
光刻機根據其光源類型可分為：
- i線光刻機：使用波長為 365 納米的 i線準分子激光作為光源。
- KrF 光刻機：使用波長為 248 納米的 KrF 準分子激光作為光源。
- ArF 光刻機：使用波長為 193 納米的 ArF 準分子激光作為光源。
- EUV 光刻機：使用波長為 13.5 納米的極紫外光 (EUV) 作為光源。
光刻機的參數
光刻機的性能由以下參數描述：
- 分辨率：刻劃在硅片上最小特征尺寸的能力，通常以納米 (nm) 為單位測量。
- 套刻精度：對齊不同光刻層的精度，通常以納米為單位測量。
- 曝光場：一次曝光中暴露的硅片面積，通常以平方毫米 (mm2) 為單位測量。
- 吞吐量：每小時可以加工的晶圓數，通常以晶圓每小時 (wph) 為單位測量。
- 生產力：吞吐量和套刻精度之間的平衡，反映了光刻機的整體效率。
- 波長：光源的波長，決定了光刻機的分辨率和套刻精度。
- 光刻膠：對光敏感的材料，用于將掩膜上的圖案轉移到硅片上。
